پاورپوینت کامل و بسیار خوب با عنوان فناوری ساخت ترانزیستورهای CMOS و قوانین طراحی Layout در 52 اسلاید

            پیشرفت تکنولوژی قطعات حالت جامد نه تنها به توسعه مفاهیم قطعات الکترونیکی بلکه به بهبود مواد نیز وابسته بوده است. شرایط رشد بلورهای نیم رسانا که برای ساخت قطعات الکترونیک استفاده می‌شود، بسیار دقیق‌تر و مشکل‌تر از سایر مواد است. علاوه بر این که نیم رساناها باید به صورت تک بلورهای بزرگ در دسترس باشند، باید خلوص آنها نیز در محدوده بسیار ظریفی کنترل شود. مثلا تراکم بیشتر ناخالصیهای مورد استفاده در بلورهای سیلیسیوم فعلی از یک قسمت در ده میلیارد کمتر است. چنین درجاتی از خلوص ، مستلزم دقت بسیار در استفاده و بکارگیری مواد در هر مرحله از فرآیند ساخت است. تاریخچه رشد سیلیسیوم تک بلور اولین بار در آغاز و میانه دهه 1950 انجام گرفت که هم اکنون نیز در ساخت مدارهای مجتمع از آن استفاده می‌شود. رشد از مذاب یک روش متداول برای رشد تک بلورها ، سرد کردن انتخابی ماده مذاب است به گونه‌ای کهانجماد در راستای یک جهت بلوری خاص انجام می‌پذیرد. یک مثال ظرفی از جنس سیلیکا (کوارتز شیشه‌ای) در نظر بگیرید که دارای ژرمانیوم (Ge) مذاب است و ...

پاورپوینت در مورد ترانزیستورهای اثر میدان (FET)

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات دسته بندی : پاورپوینت نوع فایل :  .ppt ( قابل ویرایش و آماده پرینت ) تعداد اسلاید : 20 اسلاید  قسمتی از متن .ppt :    ترانزیستورهای اثر میدان (FET) الکترونیک دیجیتال ترانزیستور اثر میدان Field Effect Transistor الکترونیک دیجیتال ترانزیستور اثر میدان، دسته‌ای ازترانزیستورها هستند که مبنای کار کنترل جریان در آن‌ها توسط یک میدان الکتریکی صورت می‌گیرد. با توجه به اینکه در این ترانزیستورها تنها یک نوع حامل بار (الکترون آزاد یا حفره) در ایجاد جریان الکتریکی دخالت دارند، می‌توان آن‌ها را جزو ترانزیستورهای تک‌قطبی محسوب کرد کلمه ترانزیستور از دو کلمه ترانس (انتقال) و رزیستور (مقاومت) تشکیل شده است و قطعه ای است که از طریق انتقال مقاومت به خروجی باعث تقویت می شود. تعریف الکترونیک دیجیتال اگر قطعه ای سیلیکن با ناخالصی نوع n به دو سر یک باتری وصل کنیم جریانی با توجه به میزان مقاومت سیلیکن در مدار جاری می شود ورود الکترون ها خروج الکترون ها ایجاد ترانزیستور اثر میدان (FET) الکترونیک دیجیتال نفوذ فلز ...

پاور پوینت ساختار ترانزیستورهای دوقطبی یا پیوندی

پاور پوینت ساختار ترانزیستورهای دوقطبی یا پیوندی   زمانی ترانزیستور در ناحیه خطی یا فعال کار می کند که دیود بیس امیتر  روشن و دیود بیس کلکتور قطع باشد      مساله : گام های تحلیل  DC   1-حدس اولیه ناحیه کار ترانزیستور 2-حل مساله ومحاسبه مجهولات با استفاده از اطلاعات بدیهی 3-چک کردن صحت فرض با استفاده از مجهول های محاسبه شده   ppt: نوع فایل سایز:2.09 MB  تعداد اسلاید:29 ...

ترانزیستورهای نوری

ترانزیستورهای نوری

پروژه درس تئوری و تکنولوژی قطعات نیمه هادی، بخشی از متن: ترانزیستور یکی از پرکاربرد ترین قطعات در صنعت الکترونیک است که با اختراع آن در سال 1947 میلادی تحولی عظیم در صنعت الکترونیک به وقوع پیوست. ترانزیستور معمولی، یک المان سه قطبی معمولی است که از سه عدد نیمه هادی نوع N و P تشکیل شده است. این ...

هندبوک مشخصات ترانزیستورهای TTL

هندبوک مشخصات ترانزیستورهای TTL

هندبوک مشخصات ترانزیستورهای TTL در این فایل مشخصات مهمترین ترانزیستورهای TTL _CMOS قرار دارد.