پاورپوینت ترانزیستور و دیود

پاورپوینت ترانزیستور و دیود

پاورپوینت بررسی انواع ترانزیستور و دیودها در قالب 41 اسلاید، بخشی از متن: اولین حق ثبت اختراع ترانزیستور اثرمیدان در سال 1928 در آلمان توسط فیزک دانی به نام Julius Edgar Lilienfeld ثبت شد، اما او هیچ مقاله ای در باره قطعه اش چاپ نکرد و این ثبت اختراع از طرف صنعت نادیده گرفته شد. در سال 1934 ...

پاورپوینت ترانزیستور و دیود

پاورپوینت ترانزیستور و دیود

پاورپوینت بررسی انواع ترانزیستور و دیودها در قالب 41 اسلاید، بخشی از متن: اولین حق ثبت اختراع ترانزیستور اثرمیدان در سال 1928 در آلمان توسط فیزک دانی به نام Julius Edgar Lilienfeld ثبت شد، اما او هیچ مقاله ای در باره قطعه اش چاپ نکرد و این ثبت اختراع از طرف صنعت نادیده گرفته شد. در سال 1934 ...

دانلود تحقیق کامل درباره دیود

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات فرمت فایل word  و قابل ویرایش و پرینت تعداد صفحات: 10   دیود چیست ؟   از اتصال دولایه p & n دیود درست می شود بعد از پیوند نیمه هادی نوع p & n کنار یکدیگر ، الکترونهای آزاد و حفره ها از محل پیوند عبور کرده ، با هم ترکیب می شوند و تشکیل یک لایه سد یا عایق می دهند . -2یک منطقه تخلیه در محل پیوند ها ایجاد می شود که فاقد الکترونهای آزاد و حفره ها می باشد ، لکن اتمهایی که الکترون از دست داده و یا گرفته اند ، در دو طرف لایه سد و در منطقه تخلیه وجود دارند . -3 اتمهای یونیزه شده ، ایجاد سد پتانسیل می کنند که برای نیمه هادی ژرمانیومی حدود ۰.۲ ولت است و برای نیمه هادی سیلسیمی حدود ۰.۶ ولت است . -4سد پتانسیل باعث که از حرکت و ترکیب بیشتر الکترونها و حفره ها در لایه سد جلوگیری به عمل آید . -5کریستال نیمه هادی نوع p دارای بار الکتریکی مثبت و کریستال نیمه هادی n دارای بار الکتریکی منفی می باشد . بایاس دیود وصل کردن ولتاژ به دیود را بایاس کردن دیود می گویند . بایاس مستقیم اگرنیمه هادی نوع p به قطب مثبت باتری و نیمه هادی نوع n به قطب ...

دانلود تحقیق کامل درباره آشنایی با ساختمان و عملکرد نیمه هادی دیود و ترانزیستور

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات فرمت فایل word  و قابل ویرایش و پرینت تعداد صفحات: 36   آشنایی با ساختمان و عملکرد نیمه هادی دیود و ترانزیستور ارائه شده به: توسط : امیرحسین لطف اله‌پور رشته : عمران نیمه هادی ها و ساختمان داخلی آنها نیمه هادی ها عناصری هستند که از لحاظ هدایت ، ما بین هادی و عایق قرار دارند، و مدار آخر نیمه هادیها ، دارای 4 الکترون می‌باشد. ژرمانیم و سیلیکون دو عنصری هستند که خاصیت نیمه هادی ها را دارا می‌باشند و به دلیل داشتن شرایط فیزیکی خوب ، برای ساخت نیمه هادی دیود ترانزیستور ، آی سی (IC ) و .... مورد استفاده قرار می‌گیرد. ژرمانیم دارای عدد اتمی‌32 می‌باشد . این نیمه هادی ، در سال 1886 توسط ونیکلر کشف شد. این نیمه هادی ، در سال 1810توسط گیلوساک و تنارد کشف شد. اتمهای نیمه هادی ژرمانیم و سیلیسیم به صورت یک بلور سه بعدی است که با قرار گرفتن بلورها در کنار یکدیگر ، شبکه کریستالی آنها پدید می‌آید . اتم های ژرمانیم و سیلیسیم به دلیل نداشتن چهار الکترون در مدار خارجی خود تمایل به دریافت الکترون دارد تا مدار خود را کامل نمای ...

دانلود مقاله کامل درباره دیود زنر

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات فرمت فایل word  و قابل ویرایش و پرینت تعداد صفحات: 12   دیود و انواع آن دیود متغییر دیدکلی وقتی که دیودی در بایاس معکوس قرار می‌گیرد، با افزایش ولتاژ معکوس لایه تهی تقریبا فاقد حاملهای بار الکتریکی است، شبیه به یک عایق یا دی‌الکتریک عمل می‌کند. از سوی دیگر نواحی n و p شبیه به رسانای خوب عمل می‌کنند. با یک تجسم ساده می‌توان نواحی p و n را در دو طرف لایه تهی مانند یک خازن تخت موازی در نظر گرفت. از این جهت ظرفیت این خازن تخت موازی را ظرفیت خازن انتقال یا ظرفیت لایه تهی گویند. ظرفیت خازن انتقال (Ct) هر دیود با افزایش ولتاژ معکوس کاهش می‌یابد. دیودهای سیلسیوم که برای این اثر ظرفیتی طراحی و بهینه شده‌اند، دیود با ظرفیت متغیر یا ورکتور نام دارند. ساخت دیود متغیر در دیود متغیر ، رابطه ظرفیت دیود با پتانسیل گرایش معکوس به صورت است، که اگر پیوند خطی باشد، است. ولی اگر پیوند تیز باشد، است. پس حساسیت ولتاژ برای یک پیوند تیز بیشتر از پیوند شیبدار خطی است. به این دلیل ورکتور غالبا با روشهای آلیاژی یا رشد رونشستی و یا کا ...